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            新材料電阻率測定直排四探針法——測量程序及測量條件

            更新時間:2019-03-22      點擊次數:2341

            新材料電阻率測定直排四探針法——測量程序及測量條件

            5測量程序

            5.1  測量條件

            5.1.1 環境溫度為 23±5℃ ,相對濕度不大于65%.

            5.1.2 電磁屏蔽。

            5.1.3 高阻試樣應在光屏蔽條件下測量。

            5.1.4 試樣中電場強度不能過大,以避免少數載流子注入。如果使用的電流適當,則用該電流的兩倍或一半時,引起電阻率的變化應小于0. 5%

            5.2   確定探針間距與探針狀態

            5.2.1 將四探針以正常壓力壓在嚴格固定的拋光硅片表面上,形成一組壓痕.提起探針,在垂直于探針尖連線方向上移動硅片表面或探針0. 05~0.10 mm,再將探針壓到硅片表面上,重復上述步驟,直到獲得10組壓痕。

            注:建議在兩組或3組壓痕后,將硅片表面或探針移動上述距離的兩倍,以幫助操作者識別壓痕屬于哪一組。

            5.2.2 將硅片表面清洗,用空氣干燥。

            5.2.3將此具有壓痕的硅片表面置于工具顯微鏡的載物臺上,使y軸的讀數(圖6中的yB和yA )相差不大于0.150mm,把在工具顯微鏡中的10組壓痕A到H的x軸讀數記錄在表中,到1μm.

            5.2.4   在放大倍數不小于 400倍的顯微鏡下檢查壓痕。

            5.2.5  按6.1條計算探針間距S,平均探針間距S.標準偏差o;和探針系數C。

            5.2.6   對于合格的探針,必須滿足下述條件。

            5.2.6.1 對于S,來說,3組10次測量值的每一組樣品標準偏差a,應小于S的0. 30%

            5.2.6.2 S1,S2和S3的差應不大于 2%.

            5.2.6.3 每根探針的壓痕應只出現一個接觸面,大直徑線度小于100μm.如果有的壓痕出現不連續的接觸面,則換探針并重新測量。

            5.2.6.4 在放大倍數為 400倍的顯微鏡下檢驗時,在與硅片表面的接觸面上出現明顯的橫向移動的探針是不合格的。該探針系統必須重新調整,以防止上述移動。

             

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