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半導體封裝材料測試系統(tǒng)

電場介電損耗，漏電流測試系統(tǒng) TSDC測試系統(tǒng) 高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng) 真空探針臺

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半導體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)

更新時間：2024-12-17

型號：

瀏覽量：2959

半導體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)華測儀器通過多年研究開發(fā)了一種可實現(xiàn)高的精度溫控，高屏蔽干擾信號的循環(huán)熱風加熱方式，在高速加熱及高速冷卻時，具有均勻的溫度分布。可實現(xiàn)寬域均熱區(qū)，高速加熱、高速冷卻，加熱箱體整體密封，無氣氛污染。
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HC-TSC功率器件有機材料環(huán)氧樹脂TSDC測試系統(tǒng)

更新時間：2024-12-23

型號：HC-TSC

瀏覽量：2461

功率器件有機材料環(huán)氧樹脂TSDC測試系統(tǒng)熱刺激去極化電流（TSDC）技術用于預測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程，在該過程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動。
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HC-TSC半導體封裝材料高壓TSDC測試系統(tǒng)

更新時間：2024-12-23

型號：HC-TSC

瀏覽量：786

半導體封裝材料高壓TSDC測試系統(tǒng)熱刺激去極化電流（TSDC）技術用于預測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程，在該過程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動。
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電氣絕緣材料高電場介電、損耗測試系統(tǒng)

更新時間：2025-07-04

型號：

瀏覽量：355

電氣絕緣材料高電場介電、損耗測試系統(tǒng)可實現(xiàn)從低頻到高頻信號的輸出與測量，系統(tǒng)由工控機發(fā)出指令，單片機控制FPGA發(fā)出測量波形，F(xiàn)PGA一路信號控制不同頻率幅值的信號由高壓放大器進行電壓放大后，施加在樣品上，另一路施加在鎖相放大器作為參考信號，不同頻率幅值的高壓信號加載樣樣品上，樣品測量的信號測量后，再回傳FPGA測試板卡。測量的數(shù)據(jù)再由單片機回傳工控機進行數(shù)據(jù)處理。
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MLCC高壓電容器高電場介電損耗電滯回線系統(tǒng)

更新時間：2025-07-04

型號：

瀏覽量：341

MLCC高壓電容器高電場介電損耗電滯回線系統(tǒng)可實現(xiàn)從低頻到高頻信號的輸出與測量，系統(tǒng)由工控機發(fā)出指令，單片機控制FPGA發(fā)出測量波形，F(xiàn)PGA一路信號控制不同頻率幅值的信號由高壓放大器進行電壓放大后，施加在樣品上，另一路施加在鎖相放大器作為參考信號，不同頻率幅值的高壓信號加載樣樣品上，樣品測量的信號測量后，再回傳FPGA測試板卡。測量的數(shù)據(jù)再由單片機回傳工控機進行數(shù)據(jù)處理。
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高電場介電、損耗、漏電流測試系統(tǒng)

更新時間：2024-12-30

型號：

瀏覽量：827

高電場介電、損耗、漏電流測試系統(tǒng)可實現(xiàn)從低頻到高頻信號的輸出與測量，系統(tǒng)由工控機發(fā)出指令，單片機控制FPGA發(fā)出測量波形，F(xiàn)PGA一路信號控制不同頻率幅值的信號由高壓放大器進行電壓放大后，施加在樣品上，另一路施加在鎖相放大器作為參考信號，不同頻率幅值的高壓信號加載樣樣品上，樣品測量的信號測量后，再回傳FPGA測試板卡。測量的數(shù)據(jù)再由單片機回傳工控機進行數(shù)據(jù)處理。
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SIR-450半導體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)

更新時間：2024-12-23

型號：SIR-450

瀏覽量：1006

半導體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統(tǒng)高低溫環(huán)境下的絕緣電阻測試技術用于預測EMC的HTRB性能。電介質(zhì)樣品暴露在高電場強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，高分子聚合物材料在高溫環(huán)境下具有負阻性的特征，電阻（率）隨著溫度的上升而下降，HTRB性能之間的相關性表明，隨著溫度的上升電阻率越下降嚴重，而HTRB性能越差，因此，材料的電阻率是HTRB失效測量的一個關鍵測量手段。
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HC-TSC半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)

更新時間：2024-12-23

型號：HC-TSC

瀏覽量：741

半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)熱刺激去極化電流（TSDC）技術用于預測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程，在該過程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動。
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